电力电子器件技术发展为电力设施提供可靠技术保障
发布日期：2019-03-15 浏览量：
电力电子器件是目前电力行业发展的基石，在许多电力设施发展离不开这些电力电子器件的技术进步，一般我们常见的电力电子器件中有精密电阻、三极管管、IGBT模块、二极管以及精密分流器等等产品，这些都构成电力电子器件重要组成部分。这些电子元器件技术的发展推动着电力电子器的快速普及。
电力电子器件普及应用具有非常重要的意义，目前运用有源电力滤波器进行谐波补偿成为重要方向。它的设计原理是从补偿对象中检测出谐波电流，然后产生一个与该谐波电流大小相等极性相反的补偿电流，从而使电网电流只含有基波分量。这种滤波器能对频率和幅值都变化的谐波进行跟踪补偿，且补偿特性不受电网阻抗的影响。
许多国家都在努力开发大容量器件采用缓冲层和透明发射极，它开通时相当于晶闸管，关断时相当于晶体管，从而有效地协调了通态电压和阻断电压的矛盾，工作频率可达几千赫兹[2][3]。瑞士ABB公司已经推出的IGCT可达4500一6000V，3000一3500A。MCT因进展不大而引退而IGCT的发展使其在电力电子器件的新格局中占有重要的地位。
大容量变流器减少谐波的主要方法是采用多重化技术，将多个方波叠加以消除次数较低的谐波，从而得到接近正弦的阶梯波。重数越多，波形越接近正弦，但电路结构越复杂。小容量变流器为了实现低谐波和高功率因数，一般采用二极管整流加PWM斩波，常称之为功率因数校正(PEC)，典型的电路有升压型、降压型、升降压型等。
近期美国电力电子技术发展重点是提供高可靠性的电力电子积木(PEBB)和集成电力电子模块。GTO和IGCT，IGCT和高压IGBT等电力电子新器件之间的激烈竞争，电力电子新技术和变频技术的发展带来更多的机遇和挑战。
在器件制造方面每个国家之间的发展都有差距，高功率沟栅结构IGBT模块、精密电阻、MOS门控晶闸管、高压砷化稼高频整流二极管、碳化硅(SIC)等新型功率器件在国际有了最新发展。采用新型半导体材料制成功率器件，实现人们对电力电子器件理想化发展，这些电子器件成为当前电力电子器件重要发展方向。
