金属氧化薄膜电阻器的性能优于金属膜和碳膜，具有以下特性:额定功率、额定电压、过载能力、电涌和高温。设计人员经常选择金属氧化膜电阻的高耐久性应用。稳定性比金属膜电阻器差。金属氧化膜电阻器性能差，耐受性差。温度系数约为300ppm /℃，高于金属薄膜类型。金属氧化薄膜电阻有固定型、轴向电阻。它们是由陶瓷棒制成，表面涂有一层金属氧化物薄膜，如氧化锡。金属氧化物薄膜电阻不能与氧化锌或碳化硅制成的金属氧化物变阻器混淆。Microhm电子NCA系列是典型的金属氧化物电阻。
金属氧化薄膜电阻的电阻材料是被氧化锑污染的氧化锡，这是为了提高电阻率。金属氧化物电阻可以承受比碳或金属薄膜电阻更高的温度。噪声特性类似于碳电阻。金属氧化物薄膜电阻的许多特性与金属薄膜电阻相似。对于基本使用，金属薄膜和金属氧化膜是目前主要的电阻类型。与碳膜相比，价格同样低廉。只有当耗散值在1瓦以上并具有合理的稳定性时，碳膜电阻才更经济。
金属氧化薄膜电阻的制备多采用化学沉积法。几乎总是用陶瓷载体作为基材。沉积过程包括纯金属与气体在高温低压下的反应。一种很常见的金属氧化膜是氧化锡。薄膜是通过在氯化锡蒸汽中加热电阻体而形成的。其他金属氧化物薄膜通常有不同的沉积过程。首先涂上一层薄薄的金属薄膜，然后与氧反应。所需要的组合物是通过测量试样的电阻来实现的。
金属氧化薄膜电阻一般是将薄膜涂在电阻体上后，通过施加螺旋切割来获得最终的阻值。这通常是通过激光切割，而在过去，它是通过磨削或喷砂。螺旋切割使电阻路径更长，截面更小，可使电阻值增加到切割前的千倍。电阻值可以通过切割来精确控制。在切割过程中，电阻的测量允许小的修正。金属氧化物薄膜电阻是碳复合电阻的第一个替代品。它们在过去比金属薄膜电阻更容易制造。然而，现在，它们的数量减少，它们越来越少。
