电流检测电阻在多相电源设计中，利用它能实现精确均流。对于轻负载电源设计，它可以防止电流反向流动，从而提高效率。当多相应用的负载较小时，电流检测可用来减少所需的相数，从而提高电路效率。对于需要电流源的负载，电流检测可将电源转换为恒流源，以用于LED驱动、电池充电和驱动激光等应用，那么电路检测电阻应该如何进行放在呢？
由于电流检测电阻的位置连同开关稳压器架构决定了要检测的电流，检测的电流包括峰值电感电流、谷值电感电流（连续导通模式下电感电流的最小值）和平均输出流。检测电阻的位置会影响功率损耗、噪声计算以及检测电阻监控电路看到的共模电压。
首先，电流检测电阻放置在降压调节器低端，检测电阻位于底部MOSFET下方。在这种配置中，它检测谷值模式电流。为了进一步降低功率损耗并节省元件成本，底部FET RDS(ON)可用来检测电流，而不必使用外部电流检测电阻。
这种配置通常用于谷值模式控制的电源。它对噪声可能也很敏感，但在这种情况下，它在占空比较大时很敏感。谷值模式控制的降压转换器支持高降压比，但由于其开关导通时间是固定/ 受控的，故最大占空比有限。
其次，电流检测电阻放置在降压调节器高端，对于降压调节器，电流检测电阻有多个位置可以放置。当放置在顶部MOSFET的高端时，它会在顶部MOSFET 导通时检测峰值电感电流，从而可用于峰值电流模式控制电源。但是，当顶部MOSFET关断且底部MOSFET导通时，它不测量电感电流。
在这种配置中，电流检测可能有很高的噪声，原因是顶部 MOSFET的导通边沿具有很强的开关电压振荡。为使这种影响最小，需要一个较长的电流比较器消隐时间。这会限制最小开关导通时间，并且可能限制最小占空比（占空比 = VOUT/VIN）和最大转换器降压比。注意在高端配置中，电流信号可能位于非常大的共模电压(VIN)之上。
