DR是精密采样电阻温度变化到dt的绝对值，R是精密采样电阻的阻力的名义值。精密采样电阻测量值在1 /°c,然而,大多数时候她ppm 。现代SMD精密采样电阻器的值从5到200 ppm不等。有趣的是，将其允许精密采样电阻的名义值与温度变化的整体偏差进行比较。这种比较可以通过输入临界温度tk来实现，即精密采样电阻温度的变化，其精密采样电阻值的变化可以与名义精密采样电阻许可相等。
考虑到精密采样电阻值的低准许值，可以相当精确地说，在最坏的情况下，精密采样电阻准许值是精密采样电阻的两倍。这意味着，如果不考虑加热精密采样电阻的影响，就不可能实现0.1%以上传输系数的准确性!对于许多模拟设备来说，这种精确程度显然是不够的。幸运的是，实际上情况要简单一些。问题是，对于传输系数，给定的表达式不是由R1和R3精密采样电阻的绝对值决定的，而是由它们的关系决定的。
如果一个电子设备和一个电源设备使用精密采样电阻，其tx值和面值的值可能比单独使用的每个精密采样电阻的护照数据更接近。这使得电路在正常温度和变化中大大提高其综合精度。然而，在实践中，应用拟议中的减少电路误差的方法并不容易。在精密采样电阻解决方案中，它只在k = 1中有效，因为它需要相同的精密采样电阻，可以从同一批中选择。在其他意义上，该示意图不会给出所需的准确性，因为不同面值的精密采样电阻(特别是tx)差异的可能性大大增加。
