电阻器和二极管都是一种半导体组件，在连接p型半导体和n型半导体时，在连接p型和n型导体之间的孔，以及连接n型电子的孔，都是一种半导体。这些结合的电子孔和孔相互抵消，使这些连接器周围的区域空空化，从而形成脱流区域。二极管结构p的正离子带有负离子，而n的正离子供体则带有负离子。但是这个过程不会持续太久，因为这些离子正离子和负离子的潜力会抵消它们。这个渗透性区域的电压或潜在的渗透性被称为势垒电压。屏障的大小是锗的0.2，硅的0.6。
电阻器和二极管的物理形式的构造和符号有所不同，二极管可以得到倒向偏移，也可以得到前向偏移，以获得所需的特征。反向折射率是将电池的负电压施加到极谱终端(A)，将正弦电压施加到二极管的极极端子(K)。换句话说，阴极电压VA-K是负的(VA-K <)当电池的正弦电压连接到极光终端(A)和负的到极极终端(K)时，二极管被称为向前偏向(前进偏向)。通过二极管电压的电流与电压之间的关系可以在二极管特征曲线上看到。
二极管锗二极管和硅二极管。当二极管被赋予向前偏差时，也就是当VA-K正弦时，ID流在达到Vg电压后迅速上升。这个电压大约是germanium二极管的0.2伏，二极管硅的0.6伏。有了这么大的电池电压，连接的潜在屏障就会被克服，所以二极管的电流开始快速流动。二极管特征图的左下方是二极管特征图的曲线，当二极管有退行性偏差时。这里也有两条曲线，二极管和硅二极管。反向农用二极管的饱和电流为1 mA。而硅二极管是纳米纳米纳米序列，在这种情况下是10 nA。
电阻器和二极管相比，如果二极管负极性的VA-K电压持续增加，那么总有一天会达到断裂的电压，即电流会突然上升。在达到这些分解电压时，极少数携带者会加速到足以从原子中释放电子的速度。然后这个电子也加速了释放其他所有人，使得电流变得更大。在常见的二极管中，断裂电压达到的电压总是被避免的，因为二极管可以被破坏。二极管电流(ID)与二极管电压(VD)的电流关系可以在W。
