薄膜芯片电阻采用插件电阻封装模式，在外观上和MOS晶体管有很想象。不过两者之间存在很多差异。MOS晶体管是一种类似于放电的半氧体晶体管类型。MOS晶体管 kanal-N的基本构造可以在相关结构中看到。MOS晶体管 kanal-N是用P型硅基材料制成的，通常称为下质。在大多数具体组件中，子元素被连接到称为子元素的终端，即第四终端。终端drain (D)通过与N型金属的接触，以及与S型端子的接入点，由它们组成的串联管道连接起来。终端门通过金属接触连接到kanan的一侧。但最重要的是，在金属门与kanal-N的接触之间有一层硅氧化物，具有绝缘作用。
与薄膜芯片电阻不同的是MOS晶体管的符号kana- n和kana- p就像连续显示的那样。如果SS终端在内部没有连接，那么MOS晶体管就是四个终端的组成部分。不同于JFET的符号，他在门上的箭，对于MOS晶体管门没有箭，因为有运河的门不是P-N枢纽。终端门和kanan之间的电气无连接。这使得MOS晶体管的阻抗剂非常高，高于JFET输入的阻抗。因此，在直流折射率中，IG门电流被认为等于0。在过去的MOS晶体管被称为IGFET，因为他的终端与kanan - n是隔离的。
薄膜芯片电阻工作原理比较简单，非常容易理解，对于解释MOS晶体管的工作原理和特征将从提供VGS = 0和VDS正弦开始。VGS = 0是通过将G端连接到S.通常是连接到S.正弦电压的党卫军终端。当VDS放大至副总裁时，ID流将饱和不再上升即IDSS。如果VGS是负的，那么终端门上的负电荷就会排斥kanan的自由电子，使其远离kanan的区域，进入次级p。这将清空自由电子的kanan，所以ID流越来越小。如果负的VGS电压继续上升到所有自由电子的kanan空，那么ID电流就不能再增加，即使通过增加VDS。
