精密电阻实现使用成分表中值的抗性表现出初始阻力，初始阻力减少随后的重大阻力增加在高电压脉冲压力。脉冲振幅较低导致阻力减少由于导电机制的变化,通过导电粒子和烧结金属导电接触和隧道通过玻璃壁垒。高压处理会影响相邻导电粒子之间的薄玻璃层中陷阱捕获的电荷，或者由于燃烧过程中绝缘层中引入的杂质，陷阱浓度会增加。此外，精密电阻由于单链从非导电状态转变为导电状态，可能会发生轻微的电阻下降。
精密电阻高压处理在MIM设备内部产生的电场不足以引起介质突破，因此不会出现由于相邻粒子之间接触数量增加而导致的电阻下降。当宏观结构发生变化时，精密电阻当脉冲电压达到临界点时，测量的电阻大幅增加。高压处理导致燃烧和蒸发的电阻层，从而减少其体积，并导致显著的电阻增加，类似于在精密电阻的组成与低片电阻。自从低频率噪声应承担的厚膜电阻应承担的电荷传输的结果波动,噪声指数与电阻的值在协议的行为。
精密电阻由于高压治疗,传导正在调制电荷陷阱捕捉到不直接参与导电,从而改变MIM单位的潜在障碍的高度。由于这些原因，测量的噪声指数值对微观结构水平的变化比电阻更敏感。结构特性和低频噪声之间已建立的相关性也可以通过噪声谱测量来说明。可以对当前噪声谱的实验结果和以下理论关系进行拟合:其中kB为玻尔兹曼常数，T为绝对温度，R为精密电阻电阻膜。1/f噪声用第二项表示，其中B0和γ为拟合参数。洛伦兹形状的噪声谱的和由第三项表示，其中Ci和fCi分别是特征参数和频率。
