电阻器生产一般都会采用最新工艺，目前很多电阻器都采用纳米技术进行生产，对纳米级技术中有效适用于超低电压和低功耗模拟集成电路的主要挑战和设计技术进行概述。新的设计挑战和限制与电源电压的低值，过程波动，设备失配，和其他影响被讨论。在本章的后半部分，将介绍针对超低电压系统和应用设计模拟集成电路的常规和非常规设计技术(体积驱动方法、浮栅、动态阈值等)。在标准CMOS技术中设计的超低电压模拟ic块运算放大器、电压比较器、电荷泵等的例子。
电阻器采用新兴的纳米级技术本质上提供了工作在低电压水平的晶体管，并为低功耗工作进行了优化。然而，这些技术缺乏对可靠模拟和/或混合信号设计至关重要的高质量电子元件如精密电阻、贴片电容等，因为它们主要用于高性能数字设计。此外，电压净空、ESD特性、最大电流密度、寄生效应、过程波动、老化效应和许多其他参数都优于使用平面晶体管的经验证的CMOS工艺。这就是为什么低压、低功耗高性能模拟和混合信号电路仍在成熟的工艺节点中设计的主要原因。
电阻器在现代纳米技术中设计超低电压(ULV)和低功耗(LP)模拟和混合信号集成电路对电路设计师和研究人员来说是一个真正的挑战，因为它在许多方面都引入了一些限制。首先，由于先进的纳米尺度技术提供了在单个芯片上设计模拟、数字和射频(RF)电路以及微电子机械系统(MEMS)的可能性，因此通常存在一个共同的供电电压值。随着技术的发展，电源电压的值明显降低。然而，MOS器件的阈值电压(VTH)并没有以相同的速度降低。
