精密箔式电阻器是目前市场上比较热销电阻器，目前5G部署正在全面展开，截至2021年底，中频基础设施的安装数量几乎是2019年的6倍，特别是在中国和“一带一路”基础设施。然而，这并不意味着所有的挑战都已解决。很多5G基础设施都是在较低频段改造4G设备。向5G的真正过渡来自对更高频率的采用，这些频率主要分为6ghz以下和毫米波(>20 GHz)乐队。随着5G部署向更高频率过渡，天线的设计、技术和材料选择也发生了转变。市场对MICROHM MVR系列等精密箔式电阻器的需求也被推向了更高的水平，对于MICROHM即将到来的预测。因此，这些将影响几个因素，如半导体技术，相关的模具附着材料，和热界面材料及其供应链。
虽然低于6 GHz的5G可能无法提供令人惊讶的速度和经常为5G宣传的应用程序，但它在实现大面积覆盖方面发挥了关键作用。其中一些在较低频段更接近于历史上的4G，但当我们超过4ghz时，历史上的“横向扩散金属氧化物半导体”功率放大器开始努力提高效率。这就是像砷化镓这样的宽禁带半导体开始发光的地方。华为等公司在其4G基础设施中采用GaN，这是Microhm集团终端客户强烈推荐的。预计GaN将在5G中占据更大的市场份额，随之而来的是芯片连接技术的转变。事实上，未来10年，5G基础设施对GaN功率放大器的年需求将增长400%。AuSn是现今典型的氮化镓贴片材料，但我们预见到烧结浆料的机会，因为它们的热性能得到了改善。
5G的另一项流行技术是大规模MIMO，使基础设施能够在同一频段为更多终端服务。这增加了每个安装的射频链的数量，波束形成能力，以及网络中使用的天线元件的数量。其结果是增加了天线PCB、功率放大器、波束形成组件等所需的材料。大规模MIMO还会提高数据传输速率和通道，从而对基带处理单元和功耗提出更高的要求，从而为热界面材料带来更大的市场机会。以上是任何开放的机会，为所有包装材料供应商在亚洲，Microhm电子有限公司愿意分享和支持的精密箔电阻器与所有终端用户或合作伙伴在这个领域。
