碳膜电阻器采用沉积工艺制造，在高温高压下，陶瓷载体被保存在碳氢气体中。气体(甲烷或苯)在1000℃的温度下裂解。晶体碳以热解方式沉积在陶瓷基板上。由于纯石墨的精确分布，没有绑定，这些碳电阻有低噪音。通过选择合适的层厚，并在碳层中切割成螺旋形，可以获得所需的电阻值。薄膜上的螺旋切口增加了电流路径的长度。
随着螺旋螺距的减小，电阻路径的长度增加，电阻值也随之增加。此外，通过微调螺旋的切割，电阻器可以获得更高的电阻值精度。典型的碳膜电阻公差值为2,5,10和20%。碳膜电阻是对碳组成的重大改进。然而，与金属膜和金属氧化物膜相比，商业上可获得的范围稳步下降。金属和氧化膜的生产成本并不高，而且总体性能更好。碳膜电阻器的典型用途是高压和高温应用。工作温度最高可达15kV，标称温度为350℃。例如高压电源、雷达、x射线和激光。
由于使用纯碳，碳膜电阻的负温度系数比碳组成高。电阻温度系数介于2.5×10 ^ 4Ω/°C和8×10 ^ 4Ω/°C。此外，这种类型的电阻器是保护防止化学影响与硅涂层。这种电阻器在电子器件中广泛使用。因此，需要注意的是，小电阻的容量约为0.5 pF。对于未切割电阻，自感强度约为0.01 H，对于螺旋切割电阻，自感强度最高可达几个H。这些电阻可用值1Ω- 10的000Ω,额定功率的1/16,⅛,¼,½,1或2瓦特。
