金属氧化物膜电阻器是碳组成电阻器的首选替代品。在过去，它们比金属薄膜电阻更容易制造。然而现在，他们的数量减少了，他们越来越不容易得到。金属氧化物膜电阻器的许多性能与金属膜电阻器相似。在基本用途上，金属膜和金属氧化物膜是目前主要的电阻类型。与碳膜相比，价格同样低廉。只有耗散值超过1瓦结合合理的稳定性，碳膜电阻仍然是更经济有效。
金属氧化膜主要采用化学沉积法生产。几乎总是用陶瓷载体作基板。沉积过程包括纯金属与气体在高温和低压下的反应。一种非常常见的金属氧化膜是氧化锡。该薄膜是通过在氯化锡蒸汽中加热电阻体而形成的。其他的金属氧化膜通常有不同的沉积过程。首先涂上一层金属薄膜，然后与氧反应。所要求的组合物是通过测量试样的电阻来达到的。
在将薄膜涂到电阻体上后，通过施加螺旋切割来获得最终的电阻值。这通常是由激光切割，而在过去，它是由磨削或喷砂。螺旋切割使电阻路径变长，截面变小，可使电阻值增加到切割前的千倍。通过切割可精确控制电阻值。在切割过程中，电阻被测量，以允许小的修正。
