如果一种内在的半导体材料被给予(纯)和另一种材料，就会获得外部半导体。在内在半导体中，自由电子和弧的数量是相等的。半导体导电率非常低，因为载重器孔和自由电子的数量都很有限。如果硅被五种无杂质的东西麻醉，那么它就会获得这些五种不同价位的半导体，如锑、砷和磷。半导体晶体结构由于反莫尼原子(Sb)是5级，所以4个电子价与硅原子的共价键配对，而5个电子则不配对。因此，第五电子键与原子核的键变得弱，容易成为自由电子。
虽然n硅基元素包含相当多的自由电子，但整个晶体保持中立，因为原子核中正弦的数量仍然等于整个电子的数量。除了自由电子(占多数)数量增加外，n的类型数实际上在下降。这是因为随着自由电子数量的增加，孔和电子重新组合的速度增加了。这就减少了。自由电子捐赠原子的能量水平可以用下面的图片来描述。硅的导电磁带能量为0.05 eV, 0.01 eV之间的距离很小。因此，在室温下，所有的供能电子都可以到达导电带，成为自由电子。
n型半导体的材料可以画在下面。因为供体原子被电子(也就是自由电子)抛在后面，它们就变成了带电离子。用一个正弦符号来描述。而自由电子成为多数持有者。他的载客车是一个洞。半导体型N型半导体如果一种纯半导体(内在的)材料在三种情况下被安培化，那么它就会获得半导体p。因为每一个原子都有一个电子，所以处于第五阶段的原子被称为捐赠原子。而“自由”电子也可以控制它的数量或集中。
