场效应晶体管或通常被称为场效应晶体管，其功能与双相晶体管几乎相同，但是和插件电阻器有很多不同。尽管如此，晶体管和双相晶体管之间有一些基本的区别。这两种晶体管的主要区别是双相晶体管输出(IC)是由输入电流(IB)控制的。而在产出电流(ID)中，则由输入电压(VGS)控制，因为输入电流是零。所以场效应晶体管的输入电阻是巨大的，在几十兆兆hm的命令下。此外，晶体管在温度和构造上更稳定，比双相晶体管更容易生产，因此对统一电路生产非常有用。场效应晶体管只作用于大多数携带者流，所以场效应晶体管倾向于产生比双相晶体管更小的声音。
场效应晶体管与插件电阻器相比，场效应晶体管有几个优点:阻力很大,大约是~ 106输入中为J场效应晶体管Ω场效应晶体管(枢纽)和108 ~ΩMOS场效应晶体管的场效应晶体管负重点很小，因为场效应晶体管的载重器没有通过p-n连接。密度是如此之高，以至于可以形成密度更大的电路温度更稳定。晶体管缺陷尽管与BJT相比，场效应晶体管不足:切换速度是慢的无法处理这么大的权力，尽管现有的场效应晶体管可以为这么大的权力工作。
场效应晶体管的物理构造和构造如下:场效应晶体管有三个终端，parasource是一个终端，大多数货物通过运河进入运河提供流量。下水道是离开运河的端子。伽特是控制源代码和Drain之间电导的电极。在下水道终端上输入信号。而子块通常与源连接。子策略中的材料通常是中性的或轻微的didope。门站通常会接收信号。在整个输入序列中，终端门和运河的行为就像一个平行的电容器，运河的导电性可以通过门户对源代码的张力来改变。对于kanal-n，门上的正电压会使运河上的负电荷产生负的电荷，从而使电子从源代码流向Drain。
