厚膜插件电阻在很多电子电路上都可以使用，这种厚膜插件电阻和场效应晶体管外观有点类似，但是两种之间存在很多差异，场效应晶体管不是根据电流工作的，而是由于输入电压的场作用到终端门。我们使用电场来控制排水终端和源之间传导的宽度。所以场效应晶体管旁边会有一个非常有效,如果电压有很大的输入阻抗~ MΩ秩序。导体通过一种半导体材料的导体，也就是用于kanal-n的n型，以及用于kanal-p的p型。在J场效应晶体管中，载体是自由电子，所以终端D应该被赋予正极。。
场效应晶体管与厚膜插件电阻不同的是使用这种方法没有门的水流中IG = 0,这是因为障碍J场效应晶体管的输入。考虑折射产生的deplesi层，这些deplesi层的宽度因VDS而不同。在场效应晶体管, junction field effect晶体管、Gate和channect形成了传统的PN连接，但由于反向偏差而存在巨大的内部障碍。而在IG场效应晶体管中，绝缘门效应晶体管，或MOS场效应晶体管，金属氧化物半孔孔晶体管，用一层薄薄的o2层将电极从通道中分离出来。
此外场效应晶体管与厚膜插件电阻差异在于，场效应晶体管在加上施加的电压可以诱导运河中的电荷来控制排水流量。其内的屏障是巨大的，不依赖于门电压的极性，除此之外，它也相对不受温度的影响。有两种类型的MOS场效应晶体管是灌注式和排毒式。运河的电流设定值只有在施加压力时才会发生。而在运河类型的排水会发生在门电压= 0的情况下。充气式示意图的内部以运河的虚线为特征，而排水类型为运河的完整轮廓进行标记。按示意图列出了场效应晶体管的分组和输出张力并提供了源代码设计。
