MOSFET和电阻器之间有很多密切的联系就像在D-MOSFET一样，这些E-MOSFET也是在一种叫做基质的硅p原型中制造的。它通常通过金属接触与党卫军终点站相连。一些MOSFET上的SS终端直接连接在组件中，只剩下三个终端，即源代码、Drain和Gate。源代码和每个都是通过培养子层的成分增生而来的，因此可以将其与S端连接到源和D端通过金属接触进行排水。而G站是通过在源代码和Drain之间的金属接触建立的。伽特和基质之间是二氧化硅，其作用是绝缘的。和D-MOSFET一样。输入- mosfet的阻抗率也很高。
MOSFET中栅极电阻有很多用途，其中这两者的主要区别是D- mosfet有一条连接S和D的桥梁，而E-MOSFET没有这样的桥梁。因此，从源头流向drain的电子流必须通过子集p。E-MOSFET的工作原理是通过释放VGS = 0伏电压和VDS正弦开始。VGS = 0电压是对终端门(G)和源代码的接合。E-MOSFET与VGS = 0, VDS -阳性VDS桥梁与VGS = 0和VDS正弦由于S和D之间没有r - n(其中有很多自由电子)，所以即使VDS给正电子施加了足够的电压，ID也不会流动或ID = 0。在源代码和drain之间，电子作为少数携带者的p型材料，所以当VGS = 0时，VDS流的正弦只是泄漏。这就是D-MOSFET在VGS = 0和VDS正弦上导出ID的区别。
MOSFET中栅极电阻当VGS向正电子方向扩张时，门上的正电子负载将使子层p上的孔远离其在SiO2的边界。因此，靠近伽特的次级p区域将会缺乏大多数洞。相反，substrat- p的电子将被正电子门电荷所吸引，并以2。请记住，电子无法进入气门，因为基质和气门都有二氧化线，所以IG保持在等于0。当VGS电压持续升高时，靠近二氧化硅的电子数量足以在VDS正弦上产生ID电流，因此VGS被称为tt。在一些VT数据集中，它也被称为VGS。一旦达到VT电压，通过增加VGS价格，ID流就会增加。这是因为VGS越大意味着在parasource和drain之间可以获得的电子数量越多。转移曲线和特征E-MOSFET。
