功率电阻器通常在电路中起到限流作用，而在使用E-MOSFET中的上升一词指出，当VGS还是零时，ID流就不存在，因为parasource和drain之间没有电子。当VGS被创造成正弦超过VT时电子数量就会增加，当VDS正弦电压增加时，ID电流就会增加。随着VGS >VT，如果VDS还很小，ID流就会迅速上升，但是当VDS上升到VDSsat时，ID流就会是恒定的。这是因为通过放大VGS而保留VGS，在G和D之间的相对电压变小，从而减少D-G一侧的电子吸引力。
因此，功率电阻器设计电路中ID流将会饱和，VDS的进一步上升将不会增加ID流。VDS价格被称为VDSsat或VDS饱和度。通过查看E-MOSFET的特征曲线，我们发现VDSsat和VGS之间存在联系。与VGS的价格越高，VDSsat也越高。当VGS = VT时，流ID开始有相当大的意义，然后VDSsat = 0。这是因为自VDS启动以来，ID流一直处于饱和状态。流ID和VGS之间的联系不再像JFET和D-MOSFET那样遵循肖克利方程，而是遵循下面的方程。这个方程适用于VGS >VT。
E-MOSFET通过将k的价格从下面的方程中移除，可以获得特定ID(on)和VGS(on)价格曲线中的某一点，即:常数和E-MOSFET kanal-N的工作原理是前面描述的E-MOSFET kanan的反义词。VGS、VDS和ID电流的极性也是如此，它们也与E-MOSFET kanan中的极性相反。kanai - p的施工原理和工作原理与前面描述的E-MOSFET kanan是相反的。VGS、VDS和ID电流的极性也是如此，它们也与E-MOSFET kanan中的极性相反。
功率电阻器在MOSFET电路中，门和桥接之间存在二氧化层，导致输入阻抗非常高。然而，由于二氧化硅层非常薄，因此在对付莫菲特方面需要谨慎。人体手上的静电被担心会导致二零半透明，所以MOSFET会受到损伤。因此，工厂通常已经为莫菲特的脚上安装了一个短的连接环。这样就可以避免莫菲特终端的潜在或意外放电。VMOS是一种专门为电力使用而设计的MOSFET。而CMOS是通过P - mosfet桥接和E-MOSFET桥接之间的完整连接而形成的。
