插件电阻器同是有两个引脚，通常一下高精密插件电阻器有四个引脚。不过在电子元器件中，MOS管外观上和插件电阻器非常相似。带有VGS零电压的D-MOSFET到负VGS这种所谓的渗透模式。这是因为随着VGS的电压，这是空的电子，或者换句话说，这是溢流层。就像在JFET一样，当特定的VGS消极时，ID流即使放大VDS也无法再次流动。导致ID为0的VGS被称为VGS。
插件类型的MOS管除了负VGS电压，D-MOSFET还可以使用VGS正弦电压。与JFET不同的是，它只能在负VGS上起作用。如果D-MOSFET上的VGS是一个正电子，那么终端门上的正电子电荷就会把自由电子从基质中拉到kanal-N区域，所以更多的自由电子。因此，ID流的流量比VGS = 0时要大。
在插件MOS管中VGS的价格越高，N管的自由电子载体数量就越多，D-MOSFET的ID流就越大，它与VGS正电子的工作方式就被称为增强模式，因为kanan中自由电子载体的数量比VGS = 0时增加了。当放大此正弦时，需要考虑最大ID流量是否超出的能力。每个D-MOSFET的最大电流可以在数据簿上看到，可以看到输出特征曲线和D-MOSFET输送曲线。
与插件电阻不同的是D-MOSFET可以在包容模式下(在VGS消极模式下)和增强模式下工作。因此，这种DMOSFET通常被称为去-MOSFET。sho不解方程仍然适用于D-MOSFET，无论是在疏散模式还是改进模式。d - MOS的特征曲线和D-MOSFET kana- p的工作原理是前面描述的D-MOSFET kanan的反义词。VGS、VDS和ID流的极性也是如此，ID流也与D-MOSFET中的极性相反。
