贴片电阻选择对于很多电路都非常重要，贴片电阻型号众多，而且每种贴片电阻的使用功能上都有很多差异，每一种电路设计考虑与分析各种电子元器件的使用，目前很多电路在这个阶段都会很多电子元器件进行选型。在电路提出的比较器拓扑结构的设计要点。由于体积驱动的输入级已经将电源电压设置为VDD = 0.4 V，所以需要确定工作温度，也就是温度角。通常的选择是在工业标准- 20°C和85°C内，这也是的情况。
贴片电阻选择另一个重要方面是CMOS制造工艺节点的选择。目前的模拟/混合信号设计标准截止2020年预置了平面深亚微米技术例如，500、350、130或90纳米的选择，因为它们在成本和工艺的一般性能和可用电子元件之间进行了公平的权衡。在更精细的技术节点中，模拟/混合信号设计通常面临复杂的问题，贴片电阻选择需要先进的解决方案和工作区，这超过了较小硅电路面积或更高操作速度的优点。晶体管的最终尺寸见图12和图13。从设计者的角度来看，模拟部分必须是对称的，这就减少了设计过程中所需要的整体努力。可以观察到，非常大的MOS晶体管尺寸。这样做是为了减轻与纳米CMOS工艺相关的工艺波动。
此外，贴片电阻选择由于倒置系数越高，电流失配越小，工艺灵敏度越高，相应器件内部的倒置程度也越高。所提议的拓扑的小信号模型如图14所示。由于模拟核的整体对称性，只分析电路的一半将大大受益。为了分析，贴片电阻选择了左边。此外，为了进行小信号分析，如果需要，来自拓扑两端的设备可以相互交换。晶体管级原理图图12中标记为“A”和“B”的节点也在小信号模型中描述。贴片电阻选择另一种分析简化是，整体电压放大可以表示为各阶段的部分电压放大的乘积或部分电压增益的总和。为了进一步简化，还省略了使能的上拉和下拉装置，这些装置对总体精度影响不大，因此可以忽略不计。
