锰铜合金电阻器是一种合金电阻器，在很多电阻器生产制造使用采用了精密锰同合金，在VGA控制电压电路中A1和A2分别为第一阶段和第二阶段的增益。第一VGA级的总跨导和总输出电阻分别记为Gm1和Rout1。与第二个阶段相关联的相同参数命名为Gm2和Rout2。为了进一步简化Eq.14的小信号分析，忽略了频率补偿块的影响。其中gmb1、gmb4、gmb9为晶体管M1、M4、M9的体积跨导，gm5为晶体管M5的跨导，gds1、gds5分别为晶体管M1、M5的输出跨导。在式15中，认为第一级的总跨导随晶体管M5的跨导而变化，而第二级的跨导是一个固定的值。
锰铜合金电阻器应用在VGA控制电压电路可以观察到，VGA的总跨导Gm1可以由跨导gm5控制，这取决于控制电压CTRL。图11显示了总跨导Gm1对系数C的依赖关系，系数C可以在0到1的范围内变化。如果系数C变为零，VGA的总跨导将等于−gmb3。在相反的情况下系数C等于1,Gm1等于gmb1−gmb3。这意味着通过增加跨导gm5，总跨导Gm1降低。此外，总跨导Gm1还取决于gds1 / gm5的比值。将比率的分子、分母分别除以Ids1，
锰铜合金电阻器其中VCTRL为VGA的控制电压，VTH1、VA1、Vds1分别为晶体管M1的阈值电压、早期电压和源漏之间电压。由式18可以看出，控制总跨导Gm的gds1 / gm5比值取决于所提议的VGA的控制电压。使用图10所示的小信号模型，将所提VGA的输出电阻Rout1和Rout2表示为分别为各自器件的输出电阻。小信号分析结果表明，可以通过改变M5器件的跨导来控制第一级增益，该跨导与VGA控制电压CTRL呈线性关系。然而，由gmb9、rds9和rds11定义的第二阶段的增益完全独立于CTRL。
锰铜合金电阻器设计电路已知的极点和零点位置以及它们的解析定义对于稳定性评估是至关重要的。电路的小信号模型图10被再次用于极点零分析。所讨论的VGA的两个阶段的整体小信号模型可以简化为一个单一的电压控制电流源VCCS，其相应的输出电阻分别是Rout1和Rout2虚线和灰盒。小信号电流产生分别表示为VinGm1和Vout1Gm2。此外，采用简化模型，可以将低频增益更详细地重写如下
