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薄膜片式电阻器生产如何处理薄膜片与温度TCR相互影响

来源：万利隆电子人气：2000 发布时间：2019-03-15

薄膜片式电阻器是近几年来发展最迅速、应用范围最广片式电阻器，相比厚膜片式电阻器而言，薄膜片式电阻器的电阻膜层主要成分为镍铬合金，经过精密加工和后期处理，阻值精度可达±0.05%，温度系数可达到±5ppm/℃，稳定度可达到0.02%，是替代低精度的厚膜片式电阻器以及传统高精度、高稳定柱状带引线电阻器。生产薄膜片式电阻器技术要求非常严格，如果处理不好薄膜片与温度TCR相互影响，将会导致薄膜片式电阻器失败率非常高。

在很多贴片电阻器按薄膜片状电阻器标准进行生产和试验，其阻值采用美国塑数字万用表測逯，对于10Q以下的电阻器均以四端渕置法迸行测试。此外，还按IEC标准规定的方法生产电租器的绝缘电阻值，以及应用电子能谱技术和化学微锻分析法研究了不同基片温度下蒸发的电阻膜成分

薄膜片式电阻器进行生产的基片溫度是影响薄膜片状电驵器性能的关键参数之一。薄膜片状电阻器的TCR与蒸发NiCr膜、Au膜时基片温度(Ts-NiCr、Ts-Au)的关系，随着Ts-NiCr的升高，其TCR从负值趋向于零，再向正依增大。这是由于基片溫度升髙，使得NiQ薄膜的晶粒增大，晶粒边界面积减小，蒸发Aii膜时基片温度Ts-Au对TCK的影响则相反。这可通过Au联与NiCr膜之间的互扩散随其基片溫度的升髙而垴强来解释。因为在光刻腐蚀Au时，NiCr/Au互扩散层Ui被腐蚀掉薄膜片电阻器的TCK与薄膜片状电阻器的TCK有一定关系。

所以互散效应加强时，NiCr/Au互扩层的厚度增大，经光刻后从薄膜片上的NiCr膜厚度随之减小。由于NiCr合金中Ni、Cfft蒸气压相差很大，所以蒸发速率大为不同，于是NiCr膜在厚度方向上成分的分布不相同，越接近基片，其含CrMH例越大。这时的Cr多以Crs03的形式存在，而CV203是一种半导体转化物，其TCR为负值，所以升高Ts-Au,使得电阻器的TCR趋于负向。

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