薄膜电阻低温漂设计结构包括哪些
来源：万利隆电子 阅读量：2000发布时间：2019-05-29
低温漂电阻对于很多行业来说非常重要，许多产品要求的电阻在一定温度范围内保持一定的低温漂设计，对于很多类型的低温漂电阻来说，电阻低温漂往往取决于电阻材料的使用。目前很多薄膜电阻低电阻温度系数结构材料的结构一般包括玻璃或陶瓷基底、负电阻温度系数材料层、正电阻温度系数材料层、金属电极层、钝化保护层，这种低温漂薄膜电阻具有非常重要的作用。
低电阻温度系数的薄膜电阻，结构包括微晶玻璃基底，TaN电阻材料层与Ni60Cr40金属电阻材料层，W90Ti10/Au电极层，以及SiO2保护层。TaN电阻材料层设于微晶玻璃基底与Ni60Cr40金属电阻材料层之间；Ni60Cr40金属电阻材料层上表层设有W90Ti10/Au电极层以及非W90Ti10/Au电极层区域的SiO2保护层。低温漂薄膜电阻生产方法包括以下步骤：
1、选用尺寸为50.8mm×50.8mm×0.3mm的微晶玻璃基片，清洗干净后，通过磁控溅射的方法，依次沉积负电阻温度系数的TaN电阻材料层、正电阻温度系数的Ni60Cr40金属电阻材料层与W90Ti10/Au金属电极层；
2、将微晶玻璃基片、制得薄膜电阻放入300℃烘箱，热处理3h；
3、通过光刻和湿法腐蚀的方法，制作出金属电极区域图形；
4、通过光刻和离子刻蚀的方法，将Ni60Cr40金属材料层制作出电阻线条图案；
5、电阻线条图案得到的基片装入夹具，测得薄膜电阻的温度系数为-18～-13.4ppm/℃；
6、在通过离子刻蚀和激光调阻的方法，减小TaN电阻材料层的面积，测试温度系数约为-4.6～-2.1ppm/℃；
7、利用PECVD在该基板正面沉积SiO2保护层，通过光刻的方法，露出W90Ti10/Au电极层区域。
目前采用低电阻温度系数的薄膜电阻结构的基底为微晶玻璃，基底上为TaN电阻材料层，它上面设置Ni60Cr40金属电阻材料，Ni60Cr40金属电阻材料部分覆盖TaN金属电阻材料；TaN与Ni60Cr40金属电阻材料层上设置W90Ti10/Au金属电极区域和SiO2保护层区域。薄膜电阻电阻通过这些生产流程可以实现低温漂设计，具有很好的稳定性，目前很多电阻厂家都在积极推进这种生产方式。
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