精密电阻对多晶硅光伏电池电流采样

来源：万利隆电子阅读量：2000发布时间：2019-06-17

太阳能发电系统中通常采用单晶硅和多晶硅太能版进行发电，而这个过程中需要使用太阳能逆变器和光伏电池产品，精密电阻器是太能能逆变器产品中重要的电子元器件，精密电阻器的使用可以对多晶硅光伏电池进行电流采样，这个过程中对整个太阳能发电系统具有重要的意义。太阳能中的多晶硅光伏电池发展有哪些意义呢，下我们来分析一下这种电池！

在光伏发电中多晶硅光伏电池，包括徽晶光电池没有光致衰退效应．材料质且有所下降时也不会导致光电池受影响，国际上正掀起的前沿性研究热点。在单晶硅衬底上用液相外延制备的P段光电池转换效率为3%，经减薄衬底．加强陷光等加工，可提高到23.7%，用CVD法制备的转换效率约为12.6一17.3％。

采用廉价衬底的P-si薄膜生长方法有PECVD和热丝法，或对a一si:H材料膜进行后退火．达到低温固相晶化．可分别制出效率9.8％和9.2％的无退化电池。徽晶硅薄膜生长与a一si工艺相容，光电性能和稳定性很高，研究受到很大重视，但效率仅为7.7％。

大面积低温卜压膜与一si组成登层电池结构，是提高a一S光电池稳定性和转换效率的重要途径，可更充分利用太阳光谱，理论计算表明其效率可在28％以h,将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展。铜锢硒光电池CIS（铜铡硒）薄膜光电池已成为国际光伏界研究开发的热门课题，它其有转换效率高＜已达到17.,%)，性能稳定，制造成本低的特点。

铜锢硒光电池一般是在玻瑞或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的，厚度可做到2/3pm，吸收层铜锢硒光电池膜对电池性能起着决定性作用。现已开发出反应共燕法和硒化法徽射、蒸发、电沉积等两大类多种制备方法，其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜。阻碍其发展的原因是工艺重复性差，高效电池成品率低．材料组分较复杂，缺乏控制薄膜生长的分析仪器．