氧化铬薄膜电阻器有哪些特点和优势
来源:万利隆电子 阅读量:2000发布时间:2019-12-23
电阻器生产所使用的采样日新月异,许多电阻材料不断进行更新和研发。目前氧化铬的复合物制作出具有高阻值的,小巧紧凑的氧化铬薄膜电阻器。氧化铬薄膜电阻器使用一种叫做雾化喷射沉积的技术制作氧化铬薄层电阻。通过控制薄层中氧原子的成分浓度,研究人员能够调节氧化铬薄层的电阻:氧原子的成分越多, 电阻阻值就越高。
氧化铬薄膜电阻材料的使用对许多电阻器来说具有非常重要的研究价值,研究人员将电阻冷却到4.2开尔文,并测量了一系列氧铬质量比的电阻率。研究人员检测到的导电性较差的材料,如氧化铬薄膜,通常在低温下具有较高的电阻,而在QPS器件中使用的任何电阻器都必须在足够冷的温度下工作,量子效应将支配经典效应。对于含氧量最高的电阻器,研究人员测量了一个足够高的电阻,以满足大多数QPS电路的要求。
研究人员通过一个氧化铬薄膜在与铌硅的界面处的接触电阻。用铌硅纳米线制作QPS电路将是测量放大器新量子标准的一种方法。电阻器研究小组发现,在氧化铬和铌硅之间形成一个金中间层降低了接触电阻,这是一个有利的结果。团队下一步计划将他们的新电阻集成到QPS设备中,新的电阻技术带来了新的领域和量子器件的巨大效益。
氧化铬薄膜电阻器薄层材料,在低温时一般都有较高的阻值,而QPS电路所要求的电阻器是在低温下能够正常工作的电阻,因为只有当温度足够低的时候,量子效应才会超越经典效应成为主导。 对于氧原子成分含量最高的电阻器, 研究者们也测量到了能够兼容绝大多数QPS电路需求的高电阻值。
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