低温漂采样电阻设计和制造方法要求更高

来源：万利隆电子阅读量：2000发布时间：2020-03-13

低温漂采样电阻与其他精密电阻相比之下，低温漂采样电阻常见的电阻制造方法，如绕线、薄膜溅射或厚膜上光，更有可能引入机械应力，其他电阻器更有可能产生热机不平衡。因此，低温漂采样电阻终端用户密切关注额定温度规范，以确保低温漂采样电阻按照公布的规范运行。低温漂采样电阻通过严格遵守这些值，最终用户可以确保低温漂采样电阻的可靠性，而不管制造过程如何。

当低温漂采样电阻工作在额定温度以上时，它可能无法工作，或产生直接影响精度的损坏。如果这种低温漂采样电阻温度过高的情况持续一段时间，个别的阻值可能会永久改变，导致整个电路故障。虽然制造商在设计产品时，通常会在已公布的规格之外，增加一定的可接受温度限度，但这种余地可能因制造商而异。解释TCR、弦斜率和变化率分析规范。

尽管低温漂采样电阻在设计和相关的制造工艺上存在差异，低温漂采样电阻的TCR仍然是最普遍接受的电阻性能稳定性指标之一。低温漂采样电阻的TCR对于预测电阻对环境温度变化的灵敏度，以及预测低、高工作温度下的元件行为是必不可少的。

因此，金属箔低温漂采样电阻的TCR考虑了个别规格范围内的极端理论条件。相比之下，与薄膜低温漂采样电阻等其他技术相比，制造商通常选择在相对较窄的温度范围内呈现TCR，较少强调或考虑极端的温度效应。除了之外低温漂采样电阻识别可能进一步定义为两个温度之间的电阻变化,除以温差(和弦坡),或TCR =(ΔR / R) /ΔT。常见的做法是定义冷弦坡从-55°C + 25°C,和热和弦坡+ 25°C + 125°C。然而,任何其他温度区间(ΔT)可以定义为好。定义在任何温度对电阻率变化曲线,计算细胞数学当ΔT无限小。

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