厚膜电阻器生产如何减少硫对内部电阻材料的污染
来源:万利隆电子 人气:发布时间:2019-02-27
厚膜电阻器由于其生产工艺简单,而且生产成本也非常低廉,这促使厚膜电阻器使用非常广泛,但厚膜电阻器生产的时候经常受到其硫对内部电阻材料的污染。通常厚膜电阻器的内部端接通常都不同程度地采用了镀银/钯工艺的电阻材料,这些相对廉价的端接材料具有更高的银含量,但通常正是内部端接中的银容易受到硫的污染。
虽然很多电阻厂家可以选择银含量更低的厚膜材料进行生产,但至今为止这些备选材料都需要更高的成本,因此批量生产似乎不太可能。另一方面,薄膜片状电阻器使用溅射的、以镍铬铁合金为主要材质的内部端接,不含银且通常也不包含任何其他贵金属。这意味着镍铬铁合金薄膜材料的价位比那些金、钯或铂含量更高的厚膜材料更为稳定。
只有内部端接不包含银或铜质材料的片状电阻器,或者那些内部端接由硫无法渗透的中间层加以保护的片状电阻器,才能够完全不受硫污染的影响。市场上存在具有竞争力的基于厚膜的解决方案,它们有一定防硫效果,但仍不能完全避免硫污染——时间一长,它们最终也会失效,变成开路。
在厚膜电阻器生产过程中,浸镀的保护性钝化层的不重合也可能会使得硫污染的影响更为严重。在这种情况下,降低浸渡工艺的速度可以将这种效应降至最低,但这样做也会增加制造成本并降低制造产能。因为薄膜内部端接不受硫污染的影响,所以这一工艺的精度并不重要。
很明显,就其内部端接而言,薄膜电阻器技术可以更好地抵抗硫污染。除此之外,采用薄膜技术的电阻器也具有整体稳定性、更低的噪声以及更低的寄生电容和电感(取决于电阻值)。常见的薄膜电阻器,它比厚膜片状电阻器有显著的改善,特别是它的电阻值较大。
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