精密MELF电阻与双相晶体管有哪些不同
来源:万利隆电子 人气:发布时间:2020-12-25
精密MELF电阻与晶体管都是重要的电子元器件,晶体管是一个双连接的二极管。连接形成PNP和NPN晶体管。晶体管终端机的末端被称为发射器、基地和收集器。在最初的建设中,晶体管pin序列并不总是发射器,一个收集基地。但这取决于晶体管的类型。这个晶体管被称为双极晶体管,因为它的工作结构和原理取决于负极的电子位移来填充正极的电子缺陷。bi = 2和zero - 1。是1951年威廉·肖克利首次发现了双相晶体管。
精密MELF电阻与双相晶体管有两个连接,可与两个二极管合并。Emiter-Base是一个接头,另一个收集器连接。就像二极管一样,只有在发出正偏差时,电流才会流动,也就是说,只有在材料P的张力高于前向偏压时才会流动。在下一幅NPN晶体管插图中,网址给了正态偏差,而网址给了反向偏差。电子晶体管NPN由于定位球在二极管中有正偏差,电子从发射器向基极流动。这条线程上的收集器更正,因为它的电压是正的。因为这些收藏家是正的,电子流正朝着这个立方体移动。假设没有收集器,电子通路就像二极管一样向底。但是由于基地的宽度非常薄,只有部分电子可以连接到基地上的孔。
此外精密MELF电阻应用不同,晶体管大部分将渗透到收集器。这就是为什么如果两个二极管结合在一起不能成为晶体管,因为碱基的宽度必须非常薄,才能被电子控制。例如,如果电压是反向发射器,那么从发射器到收集器就没有电子流了。如果缓慢的水龙头被向前偏移,电子就会流向收藏家,其大小与给定的偏移量成正比。换句话说,底流控制着从发射器向收集器流动的电子的数量。这就是所谓的晶体管强化效应,因为少量的底流会产生更大的冷凝器电流。
因为上面的解释并没有加强,而是更小的电流控制着更大的电流。它还可以解释基地设置了打开和关闭收集器流量。在PNP晶体管中,类似的现象可以通过在下面的图片中给出类似的偏差来解释。在这种情况下,所谓的电流位移是孔的电流。
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