厚膜贴片电阻低频噪声的来源与电荷输运机制有关

来源：万利隆电子人气：发布时间：2021-03-29

厚膜贴片电阻实验得到的结果相对电阻、应变系数变化和噪声指数对厚膜贴片电阻受到同时影响机电紧张以及总结情节相对厚膜贴片电阻变化的电同时机械和电紧张10 kΩ/平方厚膜电阻应承担a - 10每系列脉冲,B-single脉冲,电阻器宽度:w = 1毫米,长度:l = 4毫米。在厚膜贴片电阻组成的情况下，小的导电/隔离相比决定了主要的导电机制—穿过玻璃屏障的隧道。这种小体积的导电相导致了显著的微观结构变化，改变了阻挡电阻，导致电阻显著下降。测量因子的变化随应用应变和噪声指标值的增加而增加。给出了机械和电气同时承受100 k ω /sq厚膜电阻的相对电阻、测量因子变化和噪声指数的实验结果。

厚膜贴片电阻中厚阻膜中低频噪声的来源与电荷输运机制有关;金属导电与接触电阻率和粒子电阻率的电阻波动有关，而隧穿玻璃屏障与噪声有关，这是由于噪声的调制和金属注入模组绝缘层中陷阱的存在所引起的波动。为厚阻膜同时进行电、机械应变前后的电流噪声谱实验结果，其相对电阻、测量因子和噪声指数变化的实验结果。现有的数据表明，微观结构水平的变化导致初始阻力下降。宏观结构水平的变化则有相反的作用。初始电阻减小后电阻增大，从而达到初始电阻值。

厚膜贴片电阻为了充分理解影响相关的电流噪声同时紧张的厚膜电阻,根据实验数据拟合过程实施了和理论关系。作为一个例子,曲线的拟合和实验结果,一起贡献不同的噪声源的总电流噪声频谱。在总电流噪声谱中，占主导地位的1/f噪声包括粒子和接触电阻率波动引起的1/f噪声和绝缘子奈奎斯特噪声引起的势垒高度波动]。利用1/f噪声拟合参数γ和B0可以评价机电同时应变对1/f噪声的影响。在机械应变和电应变同时进行前后，拟合参数γ值均为1,B0值如。

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