厚膜电阻器和二极管连接的MOS晶体管电路特点

来源：万利隆电子人气：发布时间：2021-04-13

在很多电路中第一级由电子元器器件Min+，厚膜电阻器和二极管连接的MOS晶体管M1组成。输入节点是实际的比较器输入端子。厚膜电阻器在本例中，输出节点是名为“A”的节点。正如可以观察到的，体积驱动的最小值+固有地包含负电压反馈，这不幸地降低了电压放大低于统一。在小信号模型中，这被描述为两个电流源相互作用。厚膜电阻器第一级电压放大的精确解析表达式由式24定义。很明显，总体放大取决于激活的滞后器件。

第二放大阶段由M2和M4器件组成。输入端口是“A”节点，输出端口是名为“B”的节点。“厚膜电阻器这些器件形成了PMOS共源放大器的经典配置，二极管连接晶体管充当负载。小信号模型产生Eq.25，它定义了第二阶段的电压放大。模型的第三阶段，也就是最后阶段，由装置M3和M9组成。然而，由于厚膜电阻器电路已经解释的原因，可以交换MOS晶体管M9与器件M5，如果需要。这一级的拓扑结构可以描述为MOS晶体管作为固定偏置负载的共源放大器。小信号模型也揭示了一个事实，即最后阶段是由第一阶段驱动的。因此，第二阶段对整体的放大毫无贡献。由最后一级提供的分析电压放大由式26定义。

厚膜电阻器设计电路正如前面所讨论的，最终的电压放大是各阶段部分放大作用的乘积。然而，最终的解析公式是不必要的复杂，可以显著简化，如果电路设计者遵循一些常识规则。最基本的是与“合理”的通道长度和/或最小的通道长度调制以及模拟核中晶体管的饱和工作模式有关。如果满足这个要求，厚膜电阻器则式24中分母中各器件的输出电导gds之和可以忽略，因为它比其跨电导gm之和要小几个数量级。考虑到第二阶段对总收益没有贡献，可以将结果公式改写。

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