薄膜电阻生产工艺流程中的阴版刻蚀法与光刻机套刻电阻有什么不同

来源：万利隆电子阅读量：2000发布时间：2019-04-16

薄膜电阻是一种比较常见的电阻器，通常薄膜电阻器的制造方法，通常包括绝缘基板，以非光刻法在绝缘基板上形成一导体图案层，在导体图案层与绝缘基板上形成一薄膜电阻层；以光刻法将薄膜电阻层图案化。这种薄膜电阻制造方法制造薄膜电阻器，可以降低薄膜电阻器的制造成本，但目前很多薄膜电阻选择阴版刻蚀法，这种薄膜电阻制造法越来越流行。

薄膜电阻制作常使用“阴版刻蚀法”，其制作过程先进行第一次光刻和腐蚀，得到电极和电阻整体图形，再用套刻电阻掩膜版作选择性掩膜进行光刻和腐蚀，得到电阻图形。这种方法的最大问题是套准窗口窄。由于“对准标记”局限于特定结构通常是陶瓷片的边缘部分，它不能在任何地方都成为套准的保证。套准会受到镜头失常、陶瓷片夹紧不正常、掩膜版图案错位以及陶瓷片自身扭曲的影响。

因此阴版刻蚀法制造薄膜电阻，一般先将套刻掩膜版与上一层微结构图形这两者上的“对准标记”对准，进而观察两者上的图形是否套准，如发生错位，进行微调处理，待图形完全套准后再进行曝光等后序工作。该方法套刻电阻时使用的掩膜版为阴版，即掩膜版上的大部分是遮光区，只有一小部分是透明。掩膜版上大面积的遮光区使得微结构图形的边界不够清晰，图形套准操作相对较难，易发生图形套刻错位，套准时间也相应较长。