高压电阻和低阻值电阻在PA设计作用

来源：万利隆电子阅读量：2000发布时间：2020-01-13

对于PA设计，有两类电阻经常使用哪就是高压电阻和低阻值电阻。对于高压电阻来说，它的重要特点是小的布局面积，高的电流处理能力特别是当它是一个发射极高压电阻时，高压电阻正的TCR因此当晶体管变热时，有更多的高压。如果电阻有射频滚转，这个滚转应该大于期望信号的三次谐波。除了小的布局面积，还有一个小的保持区域对其他电阻或有源器件，以便一个小的阵列可以布置。发射器的压舱物，低阻值电阻,在2 - 10Ω范围,使用。这些器件的限制特性通常是电阻上的接触-接触间距，这限制了电阻的长度。

对于高压电阻和低阻值电阻来说，长度的第二个限制是速度饱和，这会使电阻非线性，因此可以在电阻上设置最小长度限制，以确保电场总是在可动性的线性区域内。这些电阻，因为他们需要支持发射极电流，需要高电流处理能力。它们具有与基频压载大于三次谐波相同的射频带宽要求。期望的布局宽度是有限的，在实践中，希望电阻的宽度与单元的宽度大致相同，以实现紧凑的阵列布局。一个积极的TCR和紧密的包装密度也是可取的。

最后,对于其他电阻用在偏压电路的网络或其他领域，如探测器电路,我们希望小面积电阻(这通常意味着更高的薄层电阻),因为这些电阻可以有相当大的值。需要高电流处理能力，这些高压电阻和低阻值电阻应该有低的TCR，这样它们就不会造成偏置点漂移超过温度。电阻可以受益于小的保持区域和小的电阻之间的间距，因为他们往往是曲折的。由于它是可取的能够调整电阻与金属掩膜的变化，也应该考虑有多少掩膜层需要改变，以修改电阻器的价值。

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