金属膜电阻器低温漂结构生产制造采用金属薄膜沉积技术
来源:万利隆电子 阅读量:2000发布时间:2020-06-05
金属膜电阻器是通过在高纯度陶瓷圆柱形棒上真空沉积一金属层而制造的。通常,沉积的金属薄膜越厚,电阻器的值就越稳定。通常在50 - 250nm之间的薄膜厚度被用作材料厚度,在这个区域往往提供更大的长期稳定水平。有许多不同的技术可以用于此,但最常见的是溅射。沉积的金属通常是镍铬合金材料,但其他金属包括金和铂等电阻材料,或氮化钽可以用于特殊用途。
金属膜电阻器结构生产时候一旦薄膜被沉积,一个金属端盖被压在沉积的金属上。这使得与电阻膜接触,并包含了引线。在制造的下一个阶段是修剪值的阻力所需的数字。这通常是通过使用激光将一个螺旋线切割成金属薄膜来实现的。这延长了金属元件的长度,也减少了电流携带轨道的宽度,同时保持沉积材料的厚度在最佳范围内,以长期稳定。
金属膜电阻器制造采用激光修边的精度意味着金属膜电阻可以制造到非常接近的公差。可提供0.1%,0.25%,0.5%,以及1%和2%的公差。1%和2%是最广泛使用的,考虑到它们的紧密公差,这使电路在从一个单元到下一个单元之间保持良好的可重复性。
金属薄膜电阻也保持良好的温度系数的电阻,这通常在50和100ppm /℃K之间。在制造金属膜电阻器的最后阶段是添加保护涂层和标记。典型的保护层是由树脂组成的,树脂被添加在几层上,并被单独烘烤。最后金属膜电阻器添加标记环,以显示金属膜电阻器的值及其它相关特性。
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