精密电阻典型用途是稳定电压基准

来源：万利隆电子人气：发布时间：2020-01-08

应用于电路的精密电阻是通过在硅晶圆上沉积一层电阻材料薄膜制成的，一般为镍铬合金材料。精密电阻使用标准为半导体技术，不需要的电阻膜被蚀刻掉，在硅片上留下所需的电阻几何形状。晶圆片上有许多相同的电路，被切成单个的骰子。根据精密电阻不同的设计，每个电阻模具包含一个到几十个精密电阻器。

薄膜精密电阻的阻值是由其几何形状决定的。电阻器的值越大，它在硅模上所占的面积就越大。因此，在芯片和电线混合电路中，精密电阻所占的面积是由总电阻决定的，而不是由电阻的数量决定的。在芯片和电线的混合电路中，总电阻应尽量减小，以使单元尽可能小，在需要精密电阻的地方，通常在测量应用中。

精密电阻每个参数都变得很重要，其中精密电阻的电阻性温度，以每°C百万分率(ppm/°C)表示。标准的金属薄膜和芯片电阻的温度范围在±50到±200 ppm/℃之间。在50°C的温度范围内，200ppm /°C部件的值最多可以变化1%。这并不意味着每一个200ppm /°C的电阻器都会有这么大的变化，只是这是你所能预期的最大值。实际的温度不仅取决于制造过程，也取决于其价值。例如，碳膜温度随温度的变化范围在- 150到- 1000 ppm/℃之间。精密绕线，金属薄膜，和大块金属电阻可以达到数量级比这更好- 1 ppm/°C是实现-但相应的昂贵。

精密电阻的另外一个典型用途是划分一个稳定的电压基准。选择一个温度为30ppm /°C的电压基准，然后用200ppm /°C的电阻将其分开是没有意义的。精密电阻在这个电路中使用的类型并不重要，因为输入电压调节通常比值的变化要重要得多。另一方面，如果Vout是作为Vref的参考，那么R2和R3的稳定性必须与参考电压相当。假设Vout要求为1.00 V±1.5%，温度稳定性为30ppm /℃。参考精密电阻产品规格书，一般规定电压为1.235 V±1%，平均温度为20ppm /℃。

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