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: 喜气洋洋迎新年，MICROHM祝大家龙年吉祥！

玉兔摆尾辞冬去，喜气洋洋迎龙年。送别2023年，即将迎来2024年新春龙年。在过去一年里MICROHM以创新为动力，紧跟行业发展的最新趋势，将先进的技术应用于精密电阻器研发中，不断推出各种低温度系数、高脉冲负载、低热电动势、稳定性良好、低寄生电感、精密电阻器件。在各个领域的市场中，以优异的生产设备及技术能力深受客户的青睐，采用国际先进技术为客户提供全面的电阻解决方案。新年...
发布时间：2024-02-06 [查看详情+]

: MICROHM访问日本东京工业大学

2019年7月9日，MICROHM与香港深圳联合科技考察团一同访问位于东京都的东京工业大学，东京工业大学（Tokyo Institute of Technology）是一所顶尖的国立科技大学，有着130多年的历史。在Ookayama, Suzukakedai和Tamachi校区的大约10,000名学生中。东京工业大学（Tokyo Institute of Technology）在日本理工科大学之最。校区位于东京都目黑区与横浜市绿区，东京工业大学在工程技术与自然科学上是日本顶尖、世界一流的理工科...
发布时间：2019-07-10 [查看详情+]

: 贴片电阻器和MOS晶体管是低压集成电路设计中常用元器件

贴片电阻器可以在标准CMOS技术中使用的低压设计技术和方法的调查没有额外的过程步骤被提出。一般来说，低压设计技术可分为两大类:传统方法和非常规方法。非常规方法包括体积驱动BD方法、动态阈值技术、浮门方法、准浮门方法和体积驱动准浮门方法。然而，只有采用体积驱动和动态阈值方法设计的电路可以在标准CMOS技术中实现，而无需修改制造工艺。另一方面，传统的电路技术，如轨到轨输入...
发布时间：2021-04-08 [查看详情+]

: 金属箔电阻器应用在CMOS逆变器中有哪些用途

金属箔电阻器是一种常用电路半导体，金属箔电阻器在很多动态阈值逆变器拓扑图可以被认为是一种适合的超低功耗和低压电荷泵设计的建筑单元。对于这样的系统，一个非常重要的设计考虑因素是不可避免的双阱CMOS制造工艺，因为PMOS和NMOS器件都需要通过各自的阱与共同衬底隔离。金属箔电阻器使用另一个需要考虑的问题是电源电压的限制。其电平不能超过0.6 V室温下。否则寄生的NPN和PNP双极晶体管...
发布时间：2021-04-08 [查看详情+]

: 贴片电阻和晶体管适用于低压和低频应用

贴片电阻和晶体管是常用的电子元器件，贴片电阻和晶体管在BD差分放大器是另一种广泛且经常实现的电路拓扑图，但是，在大容量驱动配置中。电子器件M1和M2的栅端子与最低电位相连，以保证最高可能的倒置水平。传统的差分放大器拓扑结构由于需要超过输入对阈值电压和偏置高侧晶体管的最小饱和电压而受到输入共模范围VCM的限制。VCM电压范围如式所示。贴片电阻和晶体管在输入BD晶体管用于获得...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 功率电阻在VGA电压增益电路上有哪些作用

一般来说功率电阻在很多电源设备上是常用的产品，功率电阻经常可以使用在一些电压增益电路上，列如整个VGA电压增益可以通过调节总电导或总输出阻抗来控制。因此，采用M5和M6晶体管来控制VGA增益。控制电压VCTRL的改变调节了通过输入器件M1和M2的电流，最终改变了它们的有效跨导。实际上，这将改变第一级的电压放大，这将导致拟议VGA的总体增益的修改。VGA电压总增益与增益控制器件gm5和gm6的跨...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 精密功率电阻器在应用特低压比较器模拟核

精密功率电阻器在应用特低压比较器模拟核输入PMOS器件Min+和Min作为电流源。精密功率电阻器根据式流过输入支路的静态电流受到输入电压的调制。由于跨导几乎是理想恒定的，所以整个输入电压范围内的电压到电流转换是以高度线性的方式进行的。输入支路的电流随后通过M1-M10器件组成的统一电流镜像系统进行复制。差电压是通过电流到电压的转换在名为diff和diff的节点中产生的，差分信号由数字块...
发布时间：2021-04-07 [查看详情+]

: 精密电阻在集成电路设计中应用最广泛的电路结构

精密电阻在集成电路设计中应用最广泛的电路结构之一，可以说是电流反射镜(CM)。该电路为二端口电路，对输入电流IREF进行处理，根据公式生成输出电流IOUT，其中k为放大(或镜像)系数。描述了一个简单CM的BD配置。显然，使用体积驱动晶体管可以设计更复杂的CM结构。两个MOS器件M1和M2的散装端子连接在一起并连接到输入支路。栅极端子由静态电压Vbias偏置。在输入端，电压降VBS是由输入参考电流流产生...
发布时间：2021-04-02 [查看详情+]

: 插件电阻和MOS晶体管有非常重要的设计意义

插件电阻和MOS晶体管经常应用于各种电路设计，目前基于设计电荷表的EKV MOS晶体管模型的发展大大改善了这种情况。与基于行业标准阈值电压的BSIM模型不同，EKV模型定义MOS器件的参数依赖于反转能级的连续范围。EKV模型还引入了所谓的gm/ID设计方法，这种方法可以实现简单而准确的手工计算，直接的晶体管尺寸和完全独立的技术。在电路中，定义了反转能级，也称为MOS结构的反转系数(IC)。插件电阻和...
发布时间：2021-04-02 [查看详情+]

: 贴片电阻采用新技术设计对于电阻小型化发展非常重要

贴片电阻是集成电路设计重要电子元器件，目前集成电路采用新工艺进行生产，从集成电路设计的角度来看，降低VDD值造成的主要问题之一是降低了现有和标准电路拓扑的有用电压范围。模拟电路主要受到这种限制缺陷的影响。降低阈值电压，以及MOS(金属氧化物半导体)晶体管栅氧化层变薄，会导致亚阈值漏电流急剧上升，这在纳米技术中是相当典型的。这些原因限制了阈值电压的进一步降低。设备和...
发布时间：2021-04-02 [查看详情+]

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