锰铜合金电阻器应用在VGA控制电压电路作用

锰铜合金电阻器应用在VGA控制电压电路作用

锰铜合金电阻器是一种合金电阻器,在很多电阻器生产制造使用采用了精密锰同合金,在VGA控制电压电路中A1和A2分别为第一阶段和第二阶段的增益。第一VGA级的总跨导和总输出电阻分别记为Gm1和Rout1。与第二个阶段相关联的相同参数命名为Gm2和Rout2。为了进一步简化Eq.14的小信号分析,忽略了频率补偿块的影响。其中gmb1、gmb4、gmb9为晶体管M1、M4、M9的体积跨导,gm5为晶体管M5的跨导,gds1、gds5分别为晶体...

发布时间:2021-04-14      [查看详情+]
薄膜芯片电阻在IC芯片电路上有哪些功能

薄膜芯片电阻在IC芯片电路上有哪些功能

薄膜芯片电阻在IC芯片电路上使用非常普遍,列如在时间间隔测量是在IC 芯片IC的辅助计时器上进行的。TL1 TH1是定时器1的一部分,每一串成为8位的16位(1)模式。薄膜芯片电阻工作安排1兆赫信号进入pencacah链薄膜芯片电阻值0没有信号的时候,进去的时候,值从0到1 pencacah链就列举FFFF和回到0,然后是最为疯狂是1。测量超声波脉冲发送和弹跳脉冲接受的时间间隔,使用程序2片如下:薄膜芯片电阻会获得价值1 pen...

发布时间:2021-04-14      [查看详情+]
 厚膜电阻器和二极管连接的MOS晶体管电路特点

厚膜电阻器和二极管连接的MOS晶体管电路特点

在很多电路中第一级由电子元器器件Min+, 厚膜电阻器和二极管连接的MOS晶体管M1组成。输入节点是实际的比较器输入端子。厚膜电阻器在本例中,输出节点是名为A的节点。正如可以观察到的,体积驱动的最小值+固有地包含负电压反馈,这不幸地降低了电压放大低于统一。在小信号模型中,这被描述为两个电流源相互作用。厚膜电阻器第一级电压放大的精确解析表达式由式24定义。很明显,总体放大取...

发布时间:2021-04-13      [查看详情+]
贴片电阻如何选择,以及贴片电阻对电路重要性

贴片电阻如何选择,以及贴片电阻对电路重要性

贴片电阻选择对于很多电路都非常重要,贴片电阻型号众多,而且每种贴片电阻的使用功能上都有很多差异,每一种电路设计考虑与分析各种电子元器件的使用,目前很多电路在这个阶段都会很多电子元器件进行选型。在电路提出的比较器拓扑结构的设计要点。由于体积驱动的输入级已经将电源电压设置为VDD = 0.4 V,所以需要确定工作温度,也就是温度角。通常的选择是在工业标准- 20C和85C内,这也是...

发布时间:2021-04-13      [查看详情+]
大功率电阻在电压比较器的拓扑结构中有哪些优点

大功率电阻在电压比较器的拓扑结构中有哪些优点

大功率电阻在VGA电路中为了获得满意的相位裕度PM,式23的分子必须大于分母。人们普遍认为PM = 60足以维持放大器电路的稳定运行,当比值p2/GBW2时即可满足。关于PM,有一点很重要,它受到增益A1的负面影响,因此A1值很高会导致PM降低。另一方面,如果在高增益电平A1的情况下,VGA是稳定的,那么在低增益电平,也就是的情况下,VGA也会保持稳定。 大功率电阻在电源电压VDD为0.4 V时工作的电压比较器的...

发布时间:2021-04-13      [查看详情+]
引线电阻器对于很多电流和电压的控制有非常重要作用

引线电阻器对于很多电流和电压的控制有非常重要作用

引线电阻器对于很多电流和电压的控制有非常重要作用,在电路中如果这种情况发生,而且没有适当的检测,就不会产生正确的读数。这是因为当电流到超流时,下一阶段会回到00,重新开始计算。因此,如果过度流动,那么阅读将产生比预期更低的值。引线电阻器设计电路没有超流输出,所以它表示超流发生,然后在这里使用更高的输出位在Q3上。建立的17个对偶相位Q3中的一个字节被用来生成一个超...

发布时间:2021-04-12      [查看详情+]
高精密电阻器设计低电压电路所带来哪些问题

高精密电阻器设计低电压电路所带来哪些问题

高精密电阻器对于很多低压设备来说非常重要,目前标准CMOS技术中使用的低压设计技术和方法的调查没有额外的过程步骤被提出。一般来说,高精密电阻器设计低压设计技术可分为两大类:传统方法和非常规方法。非常规方法包括体积驱动BD方法、动态阈值技术、浮门方法、准浮门方法和体积驱动准浮门方法。然而,只有采用体积驱动和动态阈值方法设计的电路可以在标准CMOS技术中实现,而无需修改制...

发布时间:2021-04-09      [查看详情+]
可变电阻器应用在动态阈值逆变器中有哪些作用

可变电阻器应用在动态阈值逆变器中有哪些作用

可变电阻器应用在动态阈值逆变器拓扑图可以被认为是一种适合的超低功耗和低压电荷泵设计的建筑单元。可变电阻器对于这样的系统,一个非常重要的设计考虑因素是不可避免的双阱CMOS制造工艺,因为PMOS和NMOS器件都需要通过各自的阱与共同衬底隔离。可变电阻器设计需要考虑的问题是电源电压的限制。其电平不能超过0.6 V室温下。否则寄生的NPN和PNP双极晶体管就会打开,极有可能引起锁存效应的触...

发布时间:2021-04-09      [查看详情+]
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