MOSFET高负载系数最大电阻耗散

文章来源：万利隆电子阅读次数：发布时间：2019-07-09

MOSFET与电子电路中的许多器件都有着密切的关于，尤其是在电路中的精密电阻器、电容、三极管和二极管之类的电子元器件，在许多情况下电路中使用精密电阻进行电流检测或者电压采样，同时精密电阻器在电子电路中对电压和电流进行分压分流。MOSFET使用时候通常结合电路中进行精密电阻器使用，因为MOSFET高负载系数时候，存在最大电阻耗散。

在很多情况MOSFET的正常工作，在电路中与精密电阻器、电容、三极管和二极管电子元器件一同构成一个完整的电路关系，但是MOSFET最坏情况下功率耗散将出现在最小或最大输入电压处。MOSFET耗散为两个函数的和：在VIN（MIN），在较高的负载系数处达到最大的电阻耗散，和在VIN（MAX）处达到最大的开关耗散。最理想的选择略等于在VIN极值的耗散，它平衡了VIN范围内的电阻耗散和开关耗散。

此外晶体管中的开关损耗，开关晶体管的导通电阻，开关电源电感器和电容器中的等效串联电阻，以及电感器中的磁芯损耗，以及整流器电压降有于典型的效率为60-70％。然而，通过优化SMPS设计，可以比较大的限度地减少功率损耗和热量; 一个好的设计可以有的效率。